隨著 AI、5G 時代來臨，自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用，更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體為各家大廠研發重點。經濟部長期以科專計畫補助工研院建立深厚的前瞻記憶體研發能量並與晶圓製造龍頭台積電合作。
自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）陣列晶片是工研院與台積電合作的最新成果。搭配創新的運算架構可用在記憶體內運算，功耗僅STT-MRAM的1%，成果領先國際。
這項研發成果日前在全球頂尖的國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting；IEDM）發表論文，不但展現次世代記憶體技術研發能量，也強化臺灣半導體在全球產業不可或缺的地位。
經濟部產業技術司表示，AI、5G與AIoT時代來臨，需快速處理大量資料，因此更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為重要關鍵。經濟部支持產業與相關法人建立深厚的前瞻記憶體研發能量，期待技術成果可以逐步在產業落實。這次藉由工研院與台積電雙方合作，強強聯手，發表重要研發成果，引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體國際競爭優勢。
工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院與台積電繼去年在全球半導體領域頂尖的超大型積體技術與電路國際會議（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發表論文，今年，更開發出具有低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點的SOT-MRAM單元，研發成果將發表在IEDM 2023。
SOT-MRAM單元結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫MRAM以記憶體為主的應用情境，未來，這項技術可用在高效運算（High Performance Computing；HPC）、AI與車用晶片等。
工研院表示，該院將持續致力推動國內半導體市場，開啟新興應用，以《2035技術策略與藍圖》為研發方向，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，期望開拓新記憶體市場的明日新星，協助國內業界發展高值的技術與產品。
