超低間隙助焊劑殘留 繞流程隱憂
隨著 AI 與HPC快速成長，HBM、CoWoS 與 TGV 等先進封裝技術正加速導入量產。然而，隨著封裝結構高度堆疊、間隙持續縮小，因助焊劑殘留於超低間隙（Ultra-Low Gap）內帶來的可靠度風險，已成為先進封裝製程中不容忽視的關鍵議題。
在部分先進封裝應用中，由於超低間隙內的助焊劑殘留極難清除，實務上業界甚至出現刻意繞過特定製程步驟，或以替代結構、額外製程來降低因殘留衍生的可能風險。但採取這類「繞流程」策略，往往將導致製程鏈拉長、變異增加，在可靠度、重複性與整體風控上形成新隱憂。
清洗低間隙殘留 非傳統不繞流程
積凱科技1（GKCtech）指出，助焊劑在先進封裝具關鍵功能，有助去除金屬氧化物、改善潤濕行為並確保接合品質。惟當製程完成，殘留在超低間隙結構內的助焊劑若未有效排除，恐將引發電性漏電、電化學遷移（ECM）、腐蝕，甚至其他潛在的長期失效風險。
目前，業界常見的清洗方式，多試圖靠高壓或長時浸泡彌補流體在超低間隙中傳輸受限的問題。不過，在實際量產環境中發現，這類作法往往面臨製程窗口狹窄、對封裝差異高度敏感、重複性不足等限制，難以同時滿足可靠度與產能需求。
積凱以深耕先進濕製程設備多年的技術與經驗，日前發表新一代超低間隙助焊劑清洗平台，可以針對先進封裝中長期存在的低間隙殘留問題，提出異於傳統高壓或長時浸泡清洗思維，且助客戶在不繞流程的前提下，建立更可控、更具量產穩定性的清洗解方。
低間隙清洗新架構 穩定適合量產
積凱技術創新所提出的解方，是以傳輸機制為核心的低間隙清洗架構（Transport-Oriented Low-Gap Cleaning Architecture），將清洗視為一個從殘留物調理、有效傳輸到最終排除的整體系統設計，非如傳統針對單點去強加壓力或化學條件以解決難題。
在積凱科技的清洗架構中，前段製程透過與化學藥水夥伴合作的浸潤與調理機制，降低助焊劑殘留物的附著與內聚強度；中段用自主開發的 Rainstorm 模組，在符合超低間隙幾何限制下提供穩定可控的動量傳輸，使殘留物可以有效從受限區域中被帶出並移除；最後則透過專屬的Final Clean 階段，確保被帶離的殘留物完整排除避免二度沉積，建立適合量產的穩定清洗狀態。
傳輸導向清洗架構 免除事後補救
積凱科技總經理徐慶吉指出，先進封裝真正困難的地方不在能把結構做得更密，在量產條件下能否穩定複製處理這些超低間隙中的隱性風險。我們看到部分製程因清洗困難被迫繞路設計，這並非產業長期健康發展的方向。積凱透過傳輸導向清洗架構，助力客戶重新回歸直接可控的製程設計。
徐慶吉強調，有效的超低間隙清洗並非靠更強的藥水或更高的壓力，而是取決於殘留物是否能在整個清洗過程中，被持續帶動、有效傳輸與確實排出。積凱的核心設計，能讓每個製程階段都為傳輸與排除服務，非事後補救。
非僅外觀潔淨 更能提升高可靠度
積凱科技表示，該平台已完成多項內部驗證，結果顯示在多層堆疊結構中，具備穩定的清洗趨勢與製程彈性。除 HBM 與 CoWoS 外，該傳輸導向清洗架構也可延伸應用到TGV研磨後清洗以及其他高精密但傳輸受限的製程領域。
未來更將持續與化學品供應商、先進封裝客戶，進行聯合評估與製程優化，同時邀請客戶攜帶具代表性的先進封裝樣品前來實機驗證。積凱科技強調，相關評估非僅外觀潔淨程度，更能聚焦提升可靠度相關指標，助攻客戶為新世代量產製程奠定更穩健發展的基礎。
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1積凱科技為台灣本土半導體設備廠，專注於先進濕製程與高精密清洗技術，致力於以工程導向的創新設計，協助客戶因應先進封裝與高可靠度製程需求，推動次世代半導體製造技術的量產落地。
