亮相14項前瞻技術 展現MIT技術
工研院今（21）日在NEPCON JAPAN展出前瞻技術成果，並與電動車動力系統新創捷能動力共同發表高功率密度三合一動力系統。從晶片、功率模組到動力系統全由臺灣製造(MIT)，並通過第三方動力系統測試，展現臺灣碳化矽（SiC）技術，在高壓高功率車用動力系統的研發與應用以及車載半導體元件「全製程」實力。
日本NEPCON JAPAN展是亞洲指標性電子製造產業盛會，聚集全球半導體、PCB、自動化、車用電子、AI智慧製造供應商與買家，去年吸引超過10萬人次觀展。工研院今年亮相車用碳化矽技術、直流電網技術與氮化鎵元件整合封裝等3大主題解決方案，超過14項前瞻技術，協同國內產業夥伴加速研發成果產業化與國際布局，持續取得在先進電子與半導體領域的競爭優勢。
提升臺廠 碳化矽產業市場競爭力
工研院電子所所長張世杰指出，碳化矽具高效率、高功率密度、耐高壓高溫、體積小、重量輕等優勢，被全球廣泛用在功率模組發展。工研院長期投入化合物功率半導體技術研發，不僅協助國內業者研發，像「車載碳化矽技術解決方案」，更已導入本土元件製造、模組封裝以及系統業者，成立「功率模組測試實驗室」，提供臺灣車用電子廠商功率模組的測試與驗證服務。
張世杰說，與捷能動力科技共同發表的高功率密度三合一動力系統，整合電動馬達、馬達控制和減速器，同時採用工研院自主研發設計的1700V／400A碳化矽功率晶片、模組以及散熱鰭片等技術，並已成功通過第三方動力系統測試，完成臺灣、美國專利佈局，展現電動車動力系統整合的國產化實力，更可望透過關鍵元件與系統層級的深度整合，協助臺廠轉型升級，在碳化矽產業提升市場競爭力。
偕同臺日夥伴 展現研發堅強實力
在車用碳化矽技術解決方案專區，工研院與第三類半導體材料廠「超能高新」展出共同開發的氮化矽陶瓷基板（AMB），展現高可靠度、高耐熱特性的先進封裝基板技術，滿足車用電力電子對高功率密度與長期可靠度的需求；和日本名古屋大學共同開發的30kW快充充電樁直流轉換器，具體應對電動車快充市場對高效率、高功率密度電力轉換系統的關鍵需求。
工研院在直流電網技術解決方案專區，鎖定AI資料中心在節能與儲能系統上的需求，建立從化合物半導體元件、模組封裝到系統整合的完整解決方案。例如開發出電池儲能系統（BESS）中重要的轉換系統固態繼電器 (Solid-State Relay)、整合碳化矽功率模組有效提升電力轉換效率、提高系統彈性，並可改善傳統機械式繼電器的可靠度性能，適用AI資料中心、電動車充電應用，助臺廠搶攻全球電力基礎設施商機。
在氮化鎵（GaN）元件整合封裝解決方案專區，工研院展出自主研發的650V垂直式氮化鎵功率晶片以及相關元件封裝技術。透過模擬將垂直式氮化鎵元件封裝最佳化，提升元件耐壓能力與功率密度，並兼顧系統可靠度與製造彈性。適用車載驅動與充電、工業機器手臂的馬達驅動系統、AI資料中心等。
