愛德萬測試今(15)日宣布，專為先進半導體製程光罩、極紫外光 (EUV) 光罩等精密尺寸量測設計的次世代關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡（CD-SEM）1 E3660問市。與前代E3650相比，E3660在關鍵尺寸 (Critical Dimension)的再現性，提升超過20%，能滿足製程工程師在2奈米節點與更先進製程中，對光罩製造的嚴格要求。
愛德萬表示，透過強化先進元件製造中的微影製程控制，E3660不但能支援2奈米節點的最新系統，其再現性、產出能力與曲線圖樣測量力，也獲得全面性進化，充分實踐愛德萬測試做為半導體價值鏈中提供全面性測試解決方案的願景。
在先進半導體元件製造中，隨著製程不斷微縮、圖樣日益複雜，微影熱點也急劇增加，這些區域在多重曝光、圖樣轉移過程中，特別容易產生錯誤；再加上用於形成晶圓電路圖的光罩持續演進，層數更多、幾何更精細，需要進行尺寸量測的位置大幅增加，量測系統不僅要滿足高產出要求，還要具備更優異的再現性。
尤其，在多光束光罩寫入技術與高效能運算能力持續發展下，業界已逐步導入曲線式光罩圖樣。隨著元件製造陸續採用高數值孔徑 (High Numerical Aperture) 的EUV微影技術，預計在2027年前後，這類圖樣將被大量部署。
為確保屆時仍能維持「設計到光罩」(design-to-mask)的一致性，CD-SEM不僅需提供具高再現性的關鍵尺寸量測結果，還要產出更能真實呈現圖樣輪廓的電子顯微鏡 (SEM) 影像；不僅如此，量測解決方案也要進化結合能評估複雜光罩特性與原始設計意圖間的偏差曲率敏感演算法(curvature-sensitive algorithm)。
愛德萬指出，在E3660研發過程與領先全球的奈米電子與數位技術研究創新中心(imec)合作，驗證E3650與前代CD-SEM以及基於電子設計自動化(EDA)參考資料產出的CD-SEM結果間的關聯性。這項合作，幫助愛德萬提升量測的可靠性，雙方並共同開發與驗證針對曲線幾何的創新量測技術。
最新的E3660平台，正是愛德萬與imec合作成果，擁有實現2奈米節點光罩製造所需的高再現性、因應日益增加量測位置的高產出量測能力以及針對曲線圖樣提供獨特量測的功能。愛德萬透過整合上述技術，使E3660能為次世代光罩研發與生產環境提供強大量測支援。
愛德萬透露，目前E3660的部署目標初步鎖定獨立光罩廠 (Merchant Mask Shop)與自製光罩廠 (Captive Mask Shop)。考量原因在於前者是為外部客戶生產光罩的專業製造商；後者則是半導體製造廠自有的光罩生產設施。業內表示，從這項部署可以看出愛德萬把E3660定位為先進光罩開發與生產合格試驗的關鍵評估工具。
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1 關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡 (Critical Dimension Scanning Electron Microscope，CD-SEM)：一種專門用於高精準度量測半導體晶圓與光罩上微細圖樣尺寸的電子顯微鏡。
